고대역폭 메모리 (HBM)
High Bandwidth Memory (HBM)
3D 적층 DRAM을 위한 메모리 인터페이스 규격이자 그에 기반한 반도체 제품군. 여러 개의 DRAM 다이를 수직으로 쌓아 실리콘 관통 전극(TSV)으로 연결함으로써 기존 메모리 대비 훨씬 넓은 대역폭과 낮은 전력 소비를 달성한다. 2013년 SK하이닉스가 첫 칩을 생산한 이래 AI 가속기와 데이터센터 GPU의 필수 부품이 되었으며, 2020년대 중반 현재 SK하이닉스·삼성전자·마이크론 3사가 글로벌 생산의 97%를 장악하여 미국-중국 반도체 패권 경쟁의 핵심 품목이자 한국 수출 경제의 구조적 축으로 부상했다.
출처
- 위키백과 (영문) technical definition, development history, JEDEC standardization timeline, and generation specifications (HBM1 through HBM4); confirms SK Hynix first production in 2013, AMD Fiji as first product in 2015, and three-company market concentration
- 위키백과 (한국어) Korean-language technical definition and history; confirms 고대역폭 메모리 as the standard Korean term and 광대역폭 메모리 as a variant
- ai-frontiers.org strategic analysis of HBM's role in AI chip performance, global industry concentration (97% by three firms), and US export control policy toward China; details December 2024 US export restrictions, Chinese stockpiling, and loophole exploitation
- itif.org analysis of HBM as the central pillar of South Korea's semiconductor export economy; documents $141.9 billion in 2024 semiconductor exports, 32.8% destination concentration in China, and Korean firms' 80–90% share of global HBM revenue